高純度石英砂在化學成分、粒度分布、物理性質等方麵有特殊要求，具體如下：

　　化學成分

　　二氧化矽（SiO?）純度：

　　半導體行業：通常要求SiO?純度達到99.998%（4N8）以上，甚至更高（如5N、6N）。

　　光伏行業：用於製造太陽能矽晶鑄錠用石英陶瓷坩堝的石英砂，SiO?純度也需達到99.998%以上。

　　光纖通信行業：生產光纖預製棒的石英砂，SiO?純度同樣要求高，以確保光纖的傳輸損耗低。

　　雜質含量：

　　金屬雜質：如鐵（Fe）、鋁（Al）、鈉（Na）、鉀（K）、鋰（Li）等金屬離子的含量需控製在極低水平。例如，Fe?O?含量通常要求小於1ppm，Al?O?含量也要求極低。

　　過渡金屬：如銅（Cu）、鉻（Cr）、鎳（Ni）等，要求小於0.05ppm，以避免成為電荷複合中心，降低少數載流子壽命。

　　放射性元素：如鈾（U）、釷（Th）需小於0.01ppb，以防止其衰變產生的α粒子導致半導體器件發生軟錯誤。

　　羥基（OH?）：含量需極低（小於5ppm），高溫下羥基會形成氣泡並影響高溫粘度。

　　粒度分布

　　粒度範圍根據具體用途而定，常用的目數有160目、200目和325目等。

　　在一些高端應用中，如半導體製造，可能需要更細的粒度，甚至達到數千目。

　　粒度分布需較為集中，且可以根據需要進行篩分和調整。

　　物理性質

　　氣液包裹體：要求極少，因為其可能會影響石英製品的性能。例如，在石英坩堝應用中，氣液包裹體會對拉晶過程產生不良影響。

　　比表麵積：一般要求比表麵積在一定範圍內，以滿足不同工藝的需求。例如，在某些催化或吸附應用中，合適的比表麵積有助於提高反應效率或吸附能力。

　　透明度與氣泡：對於用於光學等領域的超高純石英砂，要求具有高透明度，且氣泡數量少。

　　耐高溫性與抗腐蝕性：必須能承受高溫（如1600°C以上）且具有極高的抗等離子體侵蝕能力，以延長腔體部件壽命。

　　熱穩定性：優異的抗熱震性，能經受從高溫到室溫的急劇溫度變化而不破裂。例如，某些應用要求能經受從1300°C高溫到室溫的急劇溫度變化超過50次而不破裂。

　　外觀與顏色

　　超高純石英砂通常為白色或略帶透明度的顆粒，無異色和肉眼可見的雜質。